SOITEC : Veeco Intruments et Picogiga International s'associent pour d?velopper la technologie de Nitrure de Gallium sur Silicium pour le march?croissant des applications rf de haute puissance

Woodbury, NY et Les Ulis, France, le 26 juillet 2005 – Veeco Instruments Inc. (Nasdaq : VECO) et Picogiga International, une division du Groupe Soitec (Euronext, Paris), annoncent aujourd'hui la création d'un programme de développement commun destiné à développer la technologie de nitrure de gallium (GaN) sur silicium, afin de répondre aux besoins croissants du marché. Le leadership de Picogiga en matière de matériaux innovants et semi-conducteurs composés, associés à l'expertise de Veeco dans le domaine de l'épitaxie par jet moléculaire, devrait accélérer la production en volume des substrats de GaN sur silicium pour la commercialisation d'une large gamme d'applications électroniques sans fil.

Selon les termes de l'accord, les deux sociétés vont s'associer pour de fabriquer le premier réacteur industriel d'épitaxie par jet moléculaire (MBE) optimisé pour l'utilisation du procédé GaN sur silicium breveté par Picogiga. Dans le cadre de ce projet, les ingénieurs de Picogiga vont mettre en commun leur expertise de la technologie d'épitaxie par jet moléculaire de GaN sur silicium avec celle des experts de l'épitaxie de Veeco. La première phase du projet sera réalisée au Centre d'Intégration des Procédés de Veeco à Saint Paul dans le Minnesota. Le nouveau système GEN200™ sera ensuite installé sur le site de production de Picogiga aux Ulis en France pour permettre à la société de produire des plaques de nitrure de gallium sur silicium jusqu'à 150mm (6 pouces).

Jean-Luc Ledys, Directeur Général de la division Picogiga, précise que l'objet de cet accord est de faire des substrats de GaN sur silicium, une solution compétitive pour les systèmes sans fil tels que la prochaine génération de transistors à très haute mobilité (HEMTs / High Electron Mobility Transistors). " En accélérant la mise en production de substrats de GaN sur silicium de haute qualité, nous pouvons assurer à nos clients les volumes nécessaires dont ils ont besoin pour leur permettre la production de nouveaux composants pour l'infrastructure sans fil et autres applications ultra-rapides. "

Dick Wissenbach, Senior Vice-Président de Veeco Compound Semiconductor, commentait: " L'opportunité de développer les dépôts de GaN sur silicium illustre clairement les avantages des systèmes MBE de Veeco. Les connaissances que Veeco a de la production de composants sur GaN, des systèmes MBE dans un environnement de production similaire à une unité de fabrication silicium et les capacités de notre centre de développement de procédés font de ce programme de développement commun un accord parfait. " Dick Wissenbach ajoutait " notre centre de développement de procédés équipé principalement de systèmes de production et de développement MBE GEN 200 avec son groupe permanent d'experts permet aux fabricants de composants, dans un laps de temps accéléré, de tester les équipements, de développer les procédés qui les intéressent et de s'assurer de pouvoir produire des composants sans attendre de recevoir leurs propres équipements. "

Ces dernières années, le GaN sur silicium s'est avéré très prometteur pour les composants RF et micro-ondes destinés à l'industrie sans fil, en particulier pour les transistors à très haute mobilité (HEMTs / High Electron Mobility Transistors) utilisés dans les applications RF de haute puissance. Le GaN augmente la puissance de sortie de tels composants, tandis que le silicium offre une meilleure conductibilité thermique, des coûts de fourniture inférieurs et des plaques de plus grand diamètre que les substrats traditionnels de GaN. En combinant les bénéfices de performance du GaN avec les avantages du matériau et le coût du silicium en plus grand diamètre, Picogiga peut aider à assurer la disponibilité commerciale des substrats GaN pour une gamme croissante de composants et d'applications.

A propos de Veeco Instruments : Veeco Instruments est le leader mondial des systèmes de dépôts épitaxiés MBE et MOCVD combinés. Veeco propose des solutions de gravure et de dépôts appropriées à la réalisation de nanostructures pour l'industrie mondiale du ˝Data Storage˝, des ˝LED˝ et télécommunication sans fil, du semi-conducteur et de la recherche scientifique. Les appareils de métrologie de Veeco sont utilisés pour mesurer les nanostructures que les équipements de gravure et de dépôt réalisent. Les unités de développement et de fabrication Veeco sont situées dans les états américains de New York, du New Jersey, de la Californie, de l'Arizona et du Minnesota, les unités de vente et de service existent de par le monde aux Etats-Unis, en Europe, au Japon et en Asie Pacifique. Des informations complémentaires sur Veeco sont à votre disposition sur www.veeco.com

A propos de Picogiga International:La société Picogiga International est maintenant une division du Groupe Soitec focalisée sur le développement et la fabrication des matériaux semi-conducteurs III-V. L'épitaxie est une technologie clé que Soitec entend utiliser en complément de sa technologie Smart Cut™ en l'appliquant à des composés autres que le silicium, tels que les semi-conducteurs III-V. Des informations complémentaires sur Picogiga sont disponibles sur le site Internet : www.picogiga.com

A propos du Groupe Soitec : Soitec est le leader mondial dans la fourniture de matériaux avancés pour l'industrie microélectronique de pointe, et en particulier des nanotechnologies. Basé à Bernin, France, Soitec produit une gamme étendue de matériaux avancés, dont notamment le SOI et le sSOI, basée sur sa technologie Smart Cut™ ,aujourd'hui le standard de l'industrie. Bénéficiant d'une présence mondiale étendue, d'une forte propriété intellectuelle et de capacités de production de premier rang, Soitec permet aux fabricants de circuits intégrés d'obtenir des gains importants en matière de performance et d'autonomie, afin de mieux adresser la demande des consommateurs pour des produits électroniques miniaturisés et de plus en plus nomades. Les actions et les deux Océanes de Soitec sont cotées sur le Nouveau Marché d'Euronext Paris. Des informations complémentaires sur le Groupe Soitec sont disponibles sur le site Internet: www.soitec.com

Smart Cut et UNIBOND sont des marques déposées de S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies. GEN200 est une marque déposée de Veeco Instruments.

Pour toute information, contacter :

Soitec - Camille Darnaud-Dufour

Directrice de la Communication

Portable : +33 6 79 49 51 43

E-mail : [email protected]